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　　美光(guāng)公司在华销售的(de)产品(pǐn)未通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络(fe2o3是什么化学元素luò)安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产品存在较严重网络安(ān)全问题(tí)隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《fe2o3是什么化学元素网络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施的运营(yíng)者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息(xī)基础设施安全，是维护国家安(ān)全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平(píng)台产品服务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络(luò)安(ān)全风险，维护国家安全(quán)，依(yī)据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共和国(guó)网络安全法》，网络安全(quán)审查(chá)办公室按照《网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披露过美光等国际(jì)存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)、第二(èr)大(dà)和(hé)第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存(cún)储产业链上下游建(jiàn)立(lì)国内(nèi)外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部(bù)数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供(gōng)应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的(de)合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下(xià)游(yóu)客户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂(chǎng)或(huò)从(cóng)中受益。存储器的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄(báo)膜成为(wèi)最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽(cáo)，催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单(dān)，设备国(guó)产化进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额(é)提(tí)升，以及(jí)存(cún)储业务占比较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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